Tirgus strauji attīstās. Latvijas zinātnieki kondensatorus padarīs lētākus 0
Rīgas Tehniskās universitātes (RTU) zinātnieki sadarbībā ar partneriem strādā pie inovatīvu tehnoloģiju daudzslāņu silīcija nanokondensatoru dielektrisko slāņu izgatavošanas, kas elektrotehnikā un elektronikā plaši izmantoto kondensatoru ražošanu ļautu padarīt ievērojami lētāku.
“Kondensatorus izmanto jebkurās elektriskās ierīcēs – vai tie būtu datori, elektroauto, raķetes, lidmašīnas vai radari. Tirgū arvien pieaug pieprasījums pēc nanokondensatoriem, ko izmantot mikro un nanoierīcēs. Kā piemēru var minēt zibatmiņu,” skaidro RTU Mašīnzinību, transporta un aeronautikas fakultātes Biomedicīnas un nanotehnoloģiju institūta (BINI) direktors profesors Jurijs Dehtjars.
Nanokondensatoru tirgus strauji attīstās, un tiek plānots, ka attīstības temps nesamazināsies vēl vismaz desmit gadus. Interese darboties šajā tirgū ir arī Latvijas uzņēmumiem.
Pētījumā, kuru līdzfinansē Eiropas Reģionālās attīstības fonds, līdzdarbojas RTU, Latvijas Universitāte un Rīgas pusvadītāju aparātu rūpnīca “Alfa RPAR”. Visi iesaistītie vēlas radīt jaunu tehnoloģiju, kas palielinātu Latvijas ekonomikas zināšanietilpību, konkurētspēju un veicinātu ekonomikas ilgtspējīgu attīstību.
“Lai palielinātu nanokondensatora kapacitāti un samazinātu tā izmērus, nepieciešams samazināt dielektriskā slāņa biezumu. To lielākoties izgatavo no silīcija nitrīda. Jo slānis plānāks, jo vairāk tehnoloģisku problēmu – ir lielāka varbūtība, ka veidosies defekti, kas pasliktinās dielektriskās īpašības. Lai no tā izvairītos, silīcija nitrīda nanokārtas var klāt vienu uz otras, veidojot daudzslāņu struktūru.
Tam ir nepieciešami vairāki reaktori, kas izgatavošanu sadārdzina. Sadarbībā ar partneriem mums izdevās radīt tehnoloģiju nanokondensatora ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem izgatavošanai vienā reaktorā,” stāsta Dehtjars. Šobrīd Latvijas zinātniekiem nav informācijas par līdzīgiem risinājumiem citviet pasaulē un tiek gatavots patenta pieteikums. Ir tapušas arī vairākas zinātniskās publikācijas.
Tehnoloģijas izstrādes gaitā novērtēta slāņu kvalitāte, veikta to morfoloģija, elektriskā un ķīmisko saišu raksturošana. Izmantojot atomspēku mikroskopu, RTU BINI laboratorijā pirmo reizi izmērīts kondensatora dielektrisko slāņu biezums – daudzslāņu struktūrā ir sešas kārtas, katra 10 līdz 12 nanometrus bieza (viens nanometrs ir metra miljardā daļa). Savukārt, izmantojot fotoelektrisko spektrometru, slāņiem ir mērīts elektriskais lādiņš. Paralēli LU testēta nanokondensatoru noturība pret radiāciju. Savukārt “Alfa RPAR” izgatavoja paraugus un ražošanas apstākļos tos kopā ar zinātniekiem pārbaudīja.
